在全球科技的博弈下，大眾對(duì)于半導(dǎo)體的認(rèn)知更深入，今年普及的熱門領(lǐng)域是材料學(xué)的第三代半導(dǎo)體。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的新機(jī)遇，第三代半導(dǎo)體受到熱捧，國內(nèi)各省市也紛紛加速布局，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，長三角和珠三角仍是實(shí)力雄厚的兩大區(qū)域。

各地爭相規(guī)劃的背后，是對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視和新突破點(diǎn)的籌謀。一方面，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場正在加速潛行，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）發(fā)布的《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告（2020）》指出，未來5年將是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵期，全球資本加速進(jìn)入第三代半導(dǎo)體材料、器件領(lǐng)域，產(chǎn)能大幅度提升，企業(yè)并購頻發(fā)，正處于產(chǎn)業(yè)爆發(fā)前的“搶跑”階段。

另一方面，第三代半導(dǎo)體的需求在持續(xù)爆發(fā)，應(yīng)用場景包括5G基站中的功率放大器、5G通信電源；新能源汽車逆變器以及充電樁電源模塊；數(shù)據(jù)中心和工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)中的服務(wù)器電源；特高壓、軌道交通的電源；手機(jī)快充等等。

根據(jù)Yole和Omdia數(shù)據(jù)，到2020年底，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球市場將增長到8.54億美元，SiC電力電子市場規(guī)模約為7.03億美元，GaN電力電子市場規(guī)模約為1.51億美元。到2025年SiC電力電子市場規(guī)模將超過30億美元，GaN電力電子器件市場規(guī)模將超過6.8億美元。

因此，地方政府和企業(yè)們也在新賽道上提速卡位，不過需要指出的是，目前半導(dǎo)體市場90%仍然是以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體的市場份額不到10%，和一代二代形成互補(bǔ)，還需要繼續(xù)攻堅(jiān)和培育。

地方爭相布局

首先從政策層面看，去年國家政策層面開始落地。2020年7月27日，國務(wù)院發(fā)布《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知》，此后，包括《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點(diǎn)增長極的指導(dǎo)意見》《關(guān)于促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展企業(yè)所得稅政策的公告》等政策出臺(tái)，為第三代半導(dǎo)體等相關(guān)企業(yè)給予政策支持。

與此同時(shí)，國內(nèi)各地區(qū)也紛紛提出相關(guān)發(fā)展方向。據(jù)《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告（2020）》公布數(shù)據(jù)顯示，2020年，我國各地方發(fā)布的第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策16條，覆蓋了12個(gè)省（含直轄市）。雖然本年度沒有頒布關(guān)于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的專項(xiàng)政策，但第三代半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)方向，得到了各省市的系統(tǒng)布局和重視。

廣東省提出大力發(fā)展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵、氮化鋁、金剛石等第三代半導(dǎo)體材料，支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體器件和模塊的研發(fā)制造；安徽省、天津市、福建省、云南省、青海省、西安市提出建設(shè)以5G為核心的氮化鎵射頻產(chǎn)業(yè)；河北省、山東省、湖南省、山西省、福建省側(cè)重第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈布局。

從企業(yè)分布地區(qū)來看，長三角和珠三角的企業(yè)密集度相對(duì)較高。其中，江蘇省和廣東省的產(chǎn)業(yè)鏈更為全面。比如，江蘇省培育了天科合達(dá)、英諾賽科、中科漢韻等多家企業(yè)；廣東省有比亞迪半導(dǎo)體、東莞天域等企業(yè)。

在專利數(shù)量上，廣東省和江蘇省也名列前茅。根據(jù)智慧芽向21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者提供的數(shù)據(jù)顯示，第三代半導(dǎo)體-氮化鎵相關(guān)國內(nèi)申請(qǐng)量地區(qū)排名中，江蘇地區(qū)申請(qǐng)量最大，達(dá)到3915件；其次為廣東地區(qū)，為3900件，數(shù)量與江蘇相當(dāng)；排名第三的是北京，達(dá)到了2863件。

具體從城市看，深圳市2021年重大項(xiàng)目計(jì)劃中有多個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，今年的深圳市政府工作報(bào)告中也提到加快包括國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心在內(nèi)的重大創(chuàng)新平臺(tái)建設(shè)；同時(shí)，東莞擁有中國第三代半導(dǎo)體南方基地、松山湖材料實(shí)驗(yàn)室等一批科研中心；廣州在南沙區(qū)布局了第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心；在6月21日南京創(chuàng)新周上，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）正式揭牌，落地江寧開發(fā)區(qū)。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，雙方還開啟強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合模式。今年3月，科技部已正式批復(fù)支持廣東省和江蘇省建設(shè)國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，該中心由深圳市政府、江蘇省政府共同支持建設(shè)，設(shè)置深圳平臺(tái)和江蘇平臺(tái)，兩大平臺(tái)將實(shí)行共管共治、目標(biāo)協(xié)同、互相開放，打造多地共建的有效管理運(yùn)行模式。江蘇省在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域、工業(yè)制造上都深耕已久，廣東省的制造優(yōu)勢(shì)不必多言，并且擁有龐大的需求市場，如今雙方都在攻堅(jiān)半導(dǎo)體上游產(chǎn)業(yè)，建立更核心的技術(shù)壁壘。

尋求突破

在政策和需求的推動(dòng)下，國內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈蓬勃而起。據(jù)CASA Research不完全統(tǒng)計(jì)，截至2020年底，國內(nèi)有超過170家從事第三代半導(dǎo)體電力電子和微波射頻的企業(yè)，而2018年尚不足100家，覆蓋了從上游材料的制備（襯底、外延）、中游器件設(shè)計(jì)、制造、封測到下游的應(yīng)用，基本形成完整的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)。

有半導(dǎo)體從業(yè)者向21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示，第三代半導(dǎo)體主要是材料科學(xué)在半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新?；谔蓟瑁⊿iC）、氮化鎵（GaN）等材料的物理特性，它能夠進(jìn)一步拓展一些新興市場，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，在通信、汽車、高鐵、衛(wèi)星通信等應(yīng)用場景中有優(yōu)勢(shì)。

同時(shí)，他也指出，從技術(shù)角度而言，第三代半導(dǎo)體并不能夠取代先進(jìn)制程的第二代半導(dǎo)體，但是因?yàn)閼?yīng)用場景如新能源汽車、5G新應(yīng)用市場等發(fā)生變化之后，第三代半導(dǎo)體的市場的增長潛力巨大。而且第三代半導(dǎo)體在材料上壓力相對(duì)較小，生態(tài)管理的挑戰(zhàn)也小一些，是國內(nèi)容易追趕并突破的領(lǐng)域。

芯謀研究指出，得益于國內(nèi)主流企業(yè)積極布局，市場容量擴(kuò)大且產(chǎn)業(yè)鏈合作水平不斷提高。經(jīng)過一段時(shí)間的高速發(fā)展，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始步入高速成長期，企業(yè)數(shù)量持續(xù)增加，產(chǎn)線也在擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)，供應(yīng)鏈開始逐步成型，產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力增強(qiáng)。

但是在技術(shù)方面和企業(yè)規(guī)模上，我國企業(yè)與國際大廠存在較大差距。技術(shù)方面，我國仍未出現(xiàn)具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的龍頭企業(yè)，雖然一些企業(yè)經(jīng)過幾年摸索沉淀，已經(jīng)完成了技術(shù)、產(chǎn)品和市場的初期積累，資本的加持下，已實(shí)現(xiàn)一定規(guī)模產(chǎn)能的上量突破，但市占率較小。同時(shí)，國內(nèi)企業(yè)規(guī)模也較小，不具有明顯的企業(yè)優(yōu)勢(shì)。相較下，國際第三代半導(dǎo)體巨頭企業(yè)有非常明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)建立起一定的行業(yè)壁壘，國內(nèi)企業(yè)差距較大，市場機(jī)會(huì)被擠壓。

根據(jù)公開資料，在全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中，日本在設(shè)備和模塊開發(fā)方面處于領(lǐng)先地位；美國在SiC領(lǐng)域占據(jù)最大市場份額，同時(shí)擁有GaN完整產(chǎn)業(yè)鏈；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、設(shè)計(jì)及制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈，擁有英飛凌、意法半導(dǎo)體等制造商。而SiC產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)美、日、韓三足鼎立局面，美國最大，前五大廠商占據(jù)90%市場份額，科銳、英飛凌、羅姆三家公司占據(jù)全球70%～80%的市場份額；GaN 產(chǎn)業(yè)中，住友電工和科銳是全球GaN射頻器件領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，市場占有率均超過30%。

面對(duì)產(chǎn)業(yè)短板，業(yè)內(nèi)人士也表示，地方政府在助力技術(shù)突圍的同時(shí)，也需要根據(jù)市場做科學(xué)合理的規(guī)劃，避免重復(fù)建設(shè)和盲目投資，同時(shí)加大人才培養(yǎng)、上下游協(xié)同來更好地培育第三代半導(dǎo)體。